刘益春

刘益春，教授，

1981—1985：东北师范大学物理系学习，获理学学士学位。 

刘益春

1985—1988：中科院长春光学精密机械与物理研究所（原长春物理所）凝聚态物理专业学习，获理学硕士学位。 

1988—现在：东北师范大学物理系工作。 

1992—1995：中科院长春光学精密机械与物理研究所（原长春物理所）与意大利都灵工业大学联合培养博士，1995获理学博士学位。1992年破格晋升为副教授。 

1994.4—1995.8：作为联合培养的博士生，在意大利都灵工业大学物理系从事非晶态材料的合作研究。博士论文获横山明聪奖。 

1996—1998：吉林大学化学博士后流动站从事纳米电子学的研究工作。 

1998年晋升为教授。 

1996.4—1997.8：日本九州大学先端科学技术共同研究中心进行博士后研究。 

2000—2003：中国科学院百人计划学者。 

2004.1—2012.4：东北师范大学副校长。 

2012.4—现在：东北师范大学校长。 

第十三届全国人大代表。

多年来主要从事本科生“固体物理”，研究生“固体光学性质”，“固体物理”，“固体物理与化学”，“半导体物理”的教学。

光电子功能材料与器件；低维体系材料与物性；存储材料与器件；纳米生物学效应与应用；光电转化材料与器件；新型导电材料与物性等。

目前主持在研课题3项： 

1. “适用于太阳能电池的透明导电薄膜的性能优化和新材料新结构探索（一）”，国家科技部，221万元，2012-12—2013-12 

2. “石墨片及其复合体系的电子结构调制与功能化研究”，国家自然科学基金重点基金，90.0万元，2009-01—2012-12 

3. “基于金属氧化物/贵金属复合纳米晶中贵金属等离子体吸收的光存储性质研究”，国家自然科学基金面上，36万元，2010-01—2012-12 

完成课题情况： 

已完成国家自然科学基金杰出青年基金，国家“863”课题，中国科学院百人计划，国家自然科学基金，教育部重大项目培育等课题12项。

主要从事宽禁带半导体光电子材料与器件的研究工作。针对该领域研究中存在的热点、难点和基本问题，开展了一些有鲜明特色的创新性研究工作。

发明了热氧化Zn3N2单晶薄膜制备p型ZnO的方法，成功制备出p型ZnO薄膜，该方法已被国际公认为制备p-ZnO的方法之一；利用微腔的光增益效应和纳米结构的量子限制效应，获得了在高温下（560 oC）仍具有高效紫外发射的纳米薄片材料，深入研究了材料的结构与高压相变行为，为进一步研制高温光电子器件奠定了基础；通过在p-GaN/n-ZnO异质结中引入i-ZnO层, 构造p-GaN/i-ZnO/n-ZnO新型结构，成功研制出室温近紫外发射的ZnO异质结紫外发光二极管。

发明了电子回旋共振(ECR)微波等离子体氮化制备高质量SiN薄膜的方法；根据纵向光学声子对P偏振红外强烈吸收的原理，建立和发展了利用P偏振红外反射吸收光谱表征超薄SiO2的方法。

在国际上提出了无形变sp2π-Cluster是发光中心的观点。提出了N进入sp3 网络引起配位数减少导致应力释放的重要结果；提出了N的桥作用以及sp2π-Cluster团簇及其它的各种形变决定能隙的大小；在国际上提出并证实了N进入a-C:H网络中引起C-H键的弱化和网络的不稳定性。

近年来在Adv. Mater., Phys. Rev. B., J. Phys.Chem.B, J. Chem. Phys., Appl. Phys. Lett, Optics Lett., 等杂志上发表SCI论文150余篇，发表论文被SCI他引800余次，获国家发明专利8项。应邀为美国《纳米科学与技术百科全书》撰写“低维氧化锌纳米结构和纳米异质结生长”专题。国内学术会议邀请报告9次，国际学术会议报告8次。

主持国家自然科学基金，中国科学院“百人计划”项目，国家杰出青年科学基金项目，国家“十一五”“863”课题、国家“十五”“863”子课题、教育部重大创新培育项目等多项课题。

1999年入选首届吉林省杰出青年研究计划；

2000年获国务院政府津贴；

2001年获国家教育部和国家人事部共同颁发的全国模范教师荣誉称号和奖章；

2001年度获长春市优秀共产党员；

2003年获中国科学院优秀“百人计划”；

2005年获吉林省高级专家。

2006年获教育部自然科学1等奖。

2007年获教育部高等学校科学技术奖：自然科学奖一等奖1项，第一获奖人；

2007年获国家自然科学基金委杰出青年基金；

2009年获第六届国家高等教育教学成果二等奖1项，第二获奖人；

2010年获吉林省科学技术进步一等奖1项，第一获奖人。

2017年8月1日，入选中国中国科学院院士增选初步候选人名单。