杨树

2010年本科毕业于复旦大学微电子学专业；

2014年博士毕业于香港科技大学电子计算机工程专业

2014年在香港科技大学获得电子计算机工程博士学位后，先后在香港科技大学担任客座助理教授，在英国剑桥大学做博士后。

2016年回国后，进入浙江大学电气工程学院，担任“百人计划”研究员。 

近五年来在本领域权威期刊IEEE EDL、IEEE T-ED、APL，电子器件和功率半导体顶级会议IEDM、ISPSD等共发表60余篇论文（其中SCI论文30余篇），编写英文专著章节一章，其中一篇论文被德国Wiley-VCH期刊PSSA选为封面，受邀在IWN’2012、RFIT’2015、ISCS’2016、IFWS’2016、MOCVD’2016等会议上做特邀报告。作为第一作者的研究成果被包括美国工程院院士、欧洲科学院院士、英国皇家工程院院士、中国科学院院士等著名学者，以及Infineon、TSMC、NXP等国际领先半导体公司多次引用和正面评价，多次被Compound Semiconductor和Semiconductor Today产业杂志专题报道。 

IEEE和EDS、PELS会员；IEEE EDL、IEEE T-ED、APL、PSS等国际期刊审稿人，被IEEE EDL（2015-2017年）和IEEE T-ED（2014-2017年）评为金牌审稿人。

研究领域为下一代高效率能量转换系统中的GaN半导体器件核心技术及物理机理。GaN，即氮化镓，属于第三代半导体材料。

主要从事宽禁带半导体电力电子器件的设计、微纳制造、分析表征以及可靠性研究。在氮化镓MIS器件界面优化、硅基氮化镓器件缓冲层陷阱效应物理机制、基于同质外延的垂直型氮化镓电力电子器件等方向开展了一系列工作。

第十二批“国家青年千人计划”入选者

浙江省“千人计划”入选者

浙江大学“百人计划”引进人才

香港科技大学 PhD Research Excellence Award （每年三位获奖者）

Hong Kong PhD Fellowship（首届）

上海市优秀毕业生

国家一等奖学金