王圩

1937年12月25日生于河北文安。
1960年毕业于北京大学物理系半导体物理专业。
中国科学院半导体研究所研究员。
1997年当选为中国科学院院士。
早期从事无位错硅单晶和Ⅲ-Ⅴ族化合物异质结液相外延研究，为使我国砷化镓基激光器从液氮温度提高到室温工作做出了贡献。
1979年开始从事长波长镓铟砷磷四元双异质结激光器和动态单频激光器研究，为我国光纤通信用半导体光电子器件的发展做出了贡献。