王阳元

1935年1月1日生于浙江宁波。
1958年北京大学物理系毕业。
北京大学微电子学研究所教授、所长。
1995年当选为中国科学院院士。
主持研究成功我国第一块3种类型1024位MOS动态随机存储器，是我国硅栅N钩道MOS集成电路技术开拓者之一。
提出了SOI器件浮体效应模型和改进措施。
发展了新型SOI器件结构。
近期又研究亚0.1Чm器件和集成电路技术以及微机电系统(MEMS)。