郑耀宗

1939年2月9日生于香港，籍贯广东中山。
1963年毕业于香港大学，获理学士学位。
1967年获加拿大卑诗大学博士学位。
香港大学校长、教授。
1999年当选为中国科学院院士。
长期以来对金属－氧化硅－硅（MOS）系统及其器件物理和工艺技术进行了系统研究。
在国际上首先提出了MOS反型层载流子表面粗糙度散射理论，在MOS集成电路进入深亚微米阶段后，这一机理已成为决定MOS反型层载流子迁移率的主要因素。
是较早开展氮化硅技术的研究者之一。
在深亚微米器件模型研究工作中取得重要成果。