雷啸霖

1938年11月27日（中华民国二十七年），雷啸霖出生于广西桂林。

1940年8月，雷啸霖遭遇了生命里第一次劫数。在日军轰炸桂林时，腿部被炸伤，险些丧命。

1952年至1955年，雷啸霖就读于桂林中学。

1955年，雷啸霖在广西以高考理科总分第一名的成绩踏进了北京大学校门，在物理系学习。

1957年，雷啸霖的父亲因一句“如今农民还很苦”的话被打成右派失业，弟弟在广西大学因病早逝，母亲悲痛欲绝无法继续任教，妹妹因经济拮据而辍学在家，雷啸霖遭受了接二连三的打击。

1963年，雷啸霖于北京大学毕业，雷啸霖被分到山东大学任教，边教学边开始物理研究。

20世纪60年代初，雷啸霖曾与吴杭生教授一道提出超导膜的尺寸非局域效应，建立超导薄膜临界磁场随膜厚度变化的-3/2次方规律；但事业刚开始就遇上了“文化大革命”。尽管他比父亲幸运得多，但还是要在工厂和农村中接受再教育。在那漫长的十余年中，中断了研究工作。

1986年2月，雷啸霖带着妻子回国。同年，他在中国科学院上海冶金所被破格提升为研究员。

20世纪70年代末80年代初，雷啸霖研究超导临界温度理论、合金电阻理论及复杂超导系统的热力学和光学性质，取得重大科研成果。

20世纪80年代初，雷啸霖对超导临界温度级数的收敛判据以及声子谱高频行为的效应提出了独创的见解，得到同行公认。

1983年，雷啸霖应邀赴美工作，先后被休斯顿大学、纽约市立大学、斯梯文理工学院聘为客座副教授、客座教授，从事凝聚态物理学理论研究。

20世纪80年代中期，雷啸霖与丁秦生教授合作，创立了雷—丁理论；90年代初发展了超晶格子带输运模型，建立了在电场和磁场中任意能谱材料的热载流子输运方程。

1988年，雷啸霖被评为国家有突出贡献的中青年专家。

1991年，雷啸霖提出了窄能带材料中电子输运的布拉格散射模型，建立了半导体超晶格微带输运的解析理论，这个理论被国外专家称为是“非常精确的理论”。

1994年，“半导体输运理论”获得了中国科学院自然科学奖一等奖。

1995年，雷啸霖提出了用6个有效质量系数和6个非抛物系数描述任意形状的能带系统在电场和磁场同时存在时的输运性质的方程，为研究复杂能带材料在强电场下的半导体磁输运提供了一个简便而系统的方法。

1997年，雷啸霖当选为中科院院士。

1998年，雷啸霖提出了研究强太拉赫兹电磁场中半导体非线性电子输运和光学性质的新的平衡方程理论。“半导体输运的平衡方程理论”这项重大研究成果在1995年获得了国家自然科学奖二等奖。

21世纪初，雷啸霖又发展了光子辅助半导体磁输运的电流控制理论，成功地解释了高迁移率二维系统中微波辐照和电流激发引起的磁阻振荡。