北京师范大学射线束技术与材料改性教育部重点实验室

近五年来重点实验室共审批对外开放课题82项，先后吸收8名博士后在博士后流动站工作，培养博士生18名，硕士生42名。共承担国家及省部级科研项目50项、横向项目100多项，总经费3000万元，发表被SCI收录的论文120余篇，出版专著5部，获国家级奖3项，省部级以上奖 12项，申请国外专利3项，国内专利13项。 实验室的主要研究方向为射线束与材料的相互作用机理和射线束材料表面改性。强调“开放、流动、联合、竞争”的运行机制，着重搞好对外开放，致力于进行合作研究。拥有MEVVA源强流离子注入机、400KeV离子注入机、ASR100/C型扩展电阻仪、UTT400型超高真空镀膜机、BF－5电子直线加速器、400kV高压倍加器、高能（MeV）离子注入系统、质子激发X荧光分析、整体X光透镜系统、等离子体微弧氧化装置、磁过滤真空弧沉积和注入系统以及Ru-200B型X射线衍射仪等大型设备，可以提供各种金属及非金属离子束、强流金属离子束、高能电子束、γ射线及强聚焦X射线、中子束等，可以开展离子注入、材料表面改性、新型半导体器件研制、电子束辐照效应、脉冲辐解、辐射育种、中子活化分析、质子激发X荧光分析（PIXE）、微束斑X荧光分析、X光衍射、等离子体微弧氧化等方面的研究。

（1）“整体X光透镜的研制及其应用”。该成果系统并卓有成效地进行了导管X光学研究、X光学透镜的研制及其在微束X射线荧光分析、X射线衍射和深亚微米X射线光刻领域的应用开发，在提高X射线功率密度、有效利用X光源方面独具特色，提供了一种崭新的X光元件，是下一世纪X光设备仪器更新换代的关键部件，应用前景广阔。该成果荣获1997年度国家教委科技进步一等奖及1998年度国家科技进步二等奖。拥有国家发明专利1项，实用新型专利3项，拥有美国、荷兰和德国实用新型专利各1项。

（2）“MEVVA源金属离子注入技术及工业应用”。该成果为国家“863”计划项目，在MEVVA源技术、金属离子注入材料表面改性的基础研究及工业应用研究方面得到国家“863”计划新材料领域专家委员会的多次好评，取得了包括MEVVA II A-H离子源，MEVVA50型离子注入设备在内的多项达到国际先进水平的研究成果，并且成功地推向了市场。该技术能够明显改善许多工模具和零部件的抗磨损、抗腐蚀、抗疲劳及降低摩擦系数等性能，大大提高其使用寿命。近年来先后向香港、台湾及国内的大学、研究所和企业输出了7套MEVVA源和MEVAA源注入装置，另外3套MEVVA源装置即送用户使用。由于MEVVA源技术性能好，得到各个用户的好评。

（3）“铝合金微弧氧化技术”。该成果为国家“863”计划项目，主要利用铝合金材料通过微弧氧化在表面生长一层具有很高硬度的致密的陶瓷氧化膜，以提高材料表面的硬度，改善它的耐磨、耐蚀、耐压绝缘及抗高温冲击特性。铝合金微弧氧化技术在航天航空、军事、纺织、机械、汽车、化工、电子、医疗及民用产品上有广阔的应用前景，被北京市科学技术研究院评为1997年十大科技成果之一。目前实验室已能生产 40kW和100kW成套微弧氧化设备。