DRAM

动态RAM的工作原理 动态RAM也是由许多基本存储元按照行和列地址引脚复用来组成的。

3管动态RAM的工作原理3管动态RAM的基本存储电路如右图所示。在这个电路中，读选择线和写选择线是分开的，读数据线和写数据线也是分开的。

DRAM数据线

写操作时，写选择线为"1"，所以Q1导通，要写入的数据通过Q1送到Q2的栅极，并通过栅极电容在一定时间内保持信息。

读操作时，先通过公用的预充电管Q4使读数据线上的分布电容CD充电，当读选择线为高电平有效时,Q3处于可导通的状态。若原来存有"1",则Q2导通，读数据线的分布电容CD通过Q3、Q2放电,此时读得的信息为"0"，正好和原存信息相反；若原存信息为"0",则Q3尽管具备导通条件，但因为Q2截止，所以，CD上的电压保持不变，因而，读得的信息为"1"。可见，对这样的存储电路，读得的信息和原来存入的信息正好相反,所以要通过读出放大器进行反相再送往数据总线。

在半导体科技极为发达的台湾，内存和显存被统称为记忆体（Memory），全名是动态随机存取记忆体（Dynamic Random Access Memory，DRAM）。基本原理就是利用电容内存储电荷的多寡来代表0和1，这就是一个二进制位元（bit），内存的最小单位。

“上古”时代的FP/EDO内存，由于半导体工艺的限制，频率只有25MHz/50MHz，自SDR以后频率从66MHz一路飙升至133MHz，终于遇到了难以逾越的障碍。此后所诞生的DDR1/2/3系列，它们存储单元官方频率（JEDEC制定）始终在100MHz-200MHz之间徘徊，非官方（超频）频率也顶多在250MHz左右，很难突破300MHz。事实上高频内存的出错率很高、稳定性也得不到保证，除了超频跑简单测试外并无实际应用价值。

既然存储单元的频率（简称内核频率，也就是电容的刷新频率）不能无限提升，那么就只有在I/O（输入输出）方面做文章，通过改进I/O单元，这就诞生了DDR1/2/3、GDDR1/2/3/4/5等形形色色的内存种类

1. DRAM Controller Status Register (Address: 0x7E001000)

DRAM状态寄存器，这是一个RO寄存器，用于读取DRAM的状态。

实际上，读到的有用信息就是Controller Status和Memory width。

2. DRAM Controller Command Register (Address: 0x7E001004)

DRAM命令寄存器，设置DRAM的工作状态。

最开始应该配置为0x4，是处于Configure状态。在配置完所有的DRAM之后，将该寄存器设置为0x0，处于运行状态。

3. Direct Command Register (Address: 0x7E001008)

DRAM命令寄存器，用于发送命令到DRAM和访问DRAM中的MRS和EMRS寄存器。

通过该寄存器初始化DRAM，先设置为NOP模式，然后设置为PrechargeAll进行充电，然后设置EMRS和MRS寄存器，一般是这么一个流程。具体的要参见你所使用的DRAM的datasheet。

4. Memory Configuration Register (Address: 0x7E00100C)

DRAM的配置寄存器，这个与需要参照你所使用的DRAM的datasheet。

该寄存器肯定是要配的，看看DRAM的datasheet就知道了。

高速缓冲存储器/动态随机存取存储器控制器

动态随机存取存储器

动态随机存取存储器

3管动态RAM基本存储电路