CIGS薄膜太阳能电池
目前的太阳能电池以薄膜太阳能电池为主，当太阳能照到半导体的PN结上，形成电子空穴对，在PN结电场作用下，电子有P区流向N区域，空穴从N极流向P区域，分别形成在N区过剩的电子和P区过剩的空穴的积累，建立一P区为正N区为负的光生电动势（光生电压），接入负载后形成光生电流，这就是太阳能电池的工作原理。
- 中文名
- CIGS薄膜太阳能电池
- 工作原理
- 立一P区为正N区为负的光生电动势
- 时 间
- 20世纪80年代
- 结 构
- 金属删、减反射膜、窗口层等
目录
铜铟镓硒薄膜太阳能电池是20世纪80年代后期开发出来的新型太阳能电池，典型的多层膜结构如下：金属删、减反射膜、窗口层、过度层、光吸收层、背电极和基板。
CIGS材料的电化学性质
材料的电化学性质（电阻率、导电类型、载流子浓度、迁移率）主要取决于材料的元素组分比，以及偏离化学计量比而引起的固有缺陷（如空位、填陷原子、替位原子），此外还和非本征掺杂和晶界有关。
CIGS的研制
CIS薄膜的禁带宽度为1.04ev，当掺入适当的Ga以替代部分In成为CuInSe2和CuGaSe2的固溶晶体简称CIGS，薄膜的禁带宽度可在1.04-1.7范围内调整。而理想多晶体薄膜太阳能的吸收层理想的禁带宽度为1.5，可见调整Ga和In的比例，我们可以获得理想禁带宽的吸收层。
目前CIGS 薄膜太阳能电池的主要制作工艺有：反应溅射、混和溅射、共蒸发、溅射硒化、全溅射、电沉积、丝网印刷等。
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