PECVD
PECVD ( Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition ) --等离子体增强化学的气相沉积法。
- 中文名
- 等离子体增强化学气相沉积法
- 外文名
- Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition
- 简 称
- PECVD
- 优 点
- 基本温度低；沉积速率快
目录
PECVD：是借助微波或射频等使含有薄膜组成原子的气体电离，在局部形成等离子体，而等离子体化学活性很强，很容易发生反应，在基片上沉积出所期望的薄膜。为了使化学反应能在较低的温度下进行，利用了等离子体的活性来促进反应，因而这种CVD称为等离子体增强化学气相沉积(PECVD).
实验机理：是借助微波或射频等使含有薄膜组成原子的气体，在局部形成等离子体，而等离子体化学活性很强，很容易发生反应，在基片上沉积出所期望的薄膜。
优点：
基本温度低；沉积速率快；成膜质量好，针孔较少，不易龟裂。
缺点：
1.设备投资大、成本高，对气体的纯度要求高；
2.涂层过程中产生的剧烈噪音、强光辐射、有害气体、金属蒸汽粉尘等对人体有害；
3.对小孔孔径内表面难以涂层等；
4.沉积之后产生的尾气不易处理。
例子：在PECVD工艺中由于等离子体中高速运动的电子撞击到中性的反应气体分子，就会使中性反应气体分子变成碎片或处于激活的状态容易发生反应。衬底温度通常保持在350℃左右就可以得到良好的SiOx或SiNx薄膜，可以作为集成电路最后的钝化保护层，提高集成电路的可靠性。
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