ITO导电膜

ITO薄膜的制备方法有蒸发、溅射、反应离子镀、化学气相沉积、热解喷涂等, 但使用最多的是反应磁控溅射法。

ITO膜层的厚度不同，膜的导电性能和透光性能也不同。一般来说，在相同的工艺条件和性能相同的PET基底材料的情况下，ITO膜层越厚，PET-ITO膜的表面电阻越小，光透过率也相应的越小。

高阻抗ITO导电薄膜PET-ITO主要应用于移动通讯领域的触摸屏生产。

面电阻：300～500 Ω/□

面电阻均匀性：MD≤±3%，TD≤±6%

薄膜厚度：0.188±10%

线性度（MD）：≤1.5%

全光线透过率：≥86%

表面硬度（铅笔硬度）：≥3H

热稳定性：(R-R0)/R: ±20%

热收缩率：MD≤1.0%，TD≤0.8%

加热卷曲：≤10mm

低阻抗ITO导电膜可用于对导电性能要求比较高的领域，如：用于薄膜太阳能电池的透明电极、电致变色器件的电极材料、薄膜开关等领域。

薄膜厚度：0.175±10 mm

雾度：<2%

宽度：406/360±2 mm

粘附：100/100

卷曲：≤10 mm

透过率：≥ 80%

表面电阻：90±15 Ω/□

面电阻均匀性：<7%

热收缩：MD≤1.3，TD≤1.0

热稳定性：

高温：80oC,120hr ≤1.3

低温：-40oC,120hr ≤1.3

热循环：-30oC—80oC ≤1.3

热/湿度： 60oC, 90% RH,120hr ≤1.3