郑厚植

1942年8月26日出生，籍贯江苏常州。
1965年毕业于清华大学无线电电子学系。
1995年当选为中国科学院院士。
中国科学院半导体研究所研究员，半导体超晶格国家重点实验室学术委员会主任，国家“973”计划IT前沿中的量子结构、量子器件及其集成技术项目首席科学家。
曾任中国科学院半导体研究所所长。
在半导体低维物理的系统研究中取得多项重要成果。
揭示了量子霍耳效应的尺寸效应、量子霍耳电势分布特性，提出和研究了用分裂栅实现准一维电子气的办法和特性。
在空穴多体作用诱导的磁阻现象、各类共振隧穿现象、量子霍耳区的磁阻现象及扩散系数、朗道态密度测量和低维激子光谱等方面作出许多有价值的成果。
获中国科学院自然科学奖一等奖等。