梁骏吾

梁骏吾(1933.9.18--)半导体材料专家。
湖北省武汉市人。
1955年毕业于武汉大学，1960年获原苏联科学院冶金研究所副博士学位。
中国科学院半导体研究所研究员。
60年代解决了高纯区熔硅的关键技术。
1964年制备出室温激光器用GaAs液相外延材料。
1979年研制成功为大规模集成电路用的无位错、无旋涡、低微缺陷、低碳、可控氧量的优质硅区熔单晶。
80年代首创了掺氮中子嬗变硅单晶，解决了硅片的完整性和均匀性的问题。
90年代初研究MOCVD生长超晶格量子阱材料，在晶体完整性、电学性能和超晶格结构控制方面,将我国超晶格量子阱材料推进到实用水平。
主持“七五”、“八五”重点硅外延攻关，完成了微机控制、光加热、低压硅外延材料生长和设备的研究。
获国家科委科技成果二等奖一次、中国科学院科技进步奖一等奖1次、中国科学院重大成果一等奖两次，以及其它国家部级奖励多次。
1997年当选为中国工程院院士。