半导体激光器

【半导体激光器】（semiconductor laser）用半导体作为工作物质的激光器。与固体激光器不同之点在于产生激光的不是少数杂质离子，而是半导体工作物质本身。在外界泵浦下，使半导体中的电子由价带（低能量态）越过禁带（电子不存在的能态）激发到导带（高能量态），我界激励超过激光阈值后，在导带和价带之间的电子数分布造成反转，从而形成激光。其激励方式有P－N结注入（电激励）、电子束激励、光激励以及雪崩击穿等几种。目前，比较成熟应用较广的是砷化爆（GaAs）P－N结注入式激光器。结的两个端面磨成平方表面以构成诸振腔的反射镜，当P－N给通以大电流时，就有激光发射出来。

和其它激光器相比，半导体激光器的主要特点是：（1）体积小，重量轻8（2）功率转换效率高；（3）有些半导体激光器可以通过温度、掺杂量、磁场、压力的控制，实现输出激光波长的调谐（4）输出功率小；（5）激光发散角大，单色性和相干性都较差；（6）输出特性受温度影响明显，除砷化嫁激光器外，大多数半导体激光器均须在低温冷却下工作。半导体激光器的输出波长分布在紫外到红外区之间，它们主要用于光通信和测距等方面。